眾所周知，半導(dǎo)體的含義顧名思義就是其導(dǎo)電性介于干導(dǎo)體和絕緣體之間，其電阻率間于金屬和絕緣體之間，通常在室溫時(shí)為1mΩ·cm～1GΩ·cm 范圍之內(nèi)。近年來(lái)，真空半導(dǎo)體鍍膜在各大半導(dǎo)體企業(yè)中，顯然其地位是越來(lái)越高的，特別是在一些大規(guī)模集成系統(tǒng)電路的開(kāi)發(fā)技術(shù)研究方法以磁電變換器件、發(fā)光器件等研制工作方面的體現(xiàn)尤為明顯，真空半導(dǎo)體鍍膜具有重要的作用。 

  半導(dǎo)體根據(jù)其固有的性質(zhì)、溫度和雜質(zhì)濃度來(lái)確定它的特征表現(xiàn)。真空半導(dǎo)體鍍膜材料之間進(jìn)行區(qū)分主要看它的組成化合物。大致都是以硼、碳、硅、鍺、砷、銻、碲、碘等，還有一些比較少數(shù)的GaP、GaAs、lnSb等。另外一些氧化物半導(dǎo)體也有不少，如FeO、Fe?O?、MnO、Cr?O?、Cu?O 等。 

  真空蒸發(fā)、濺射鍍膜、離子鍍膜等設(shè)備都可以做真空半導(dǎo)體鍍膜。這些鍍膜設(shè)備的工作原理上都是有所區(qū)別，但都是使半導(dǎo)體材料鍍膜材料沉積在基底上，而作為基底的材料，并沒(méi)有什么要求，可以是一種半導(dǎo)體也可以不是。此外，通過(guò)雜質(zhì)擴(kuò)散和離子注入都可以半導(dǎo)體基片的表面上一個(gè) 的范圍中，可以制備出具有不同電學(xué)和光學(xué)性質(zhì)的鍍膜。由此形成的薄層，也可以一概而論，當(dāng)作半導(dǎo)體鍍膜來(lái)處理。

   真空半導(dǎo)體鍍膜在電子學(xué)中不管是有源器件還是無(wú)源器件，都是不可或缺的存在。隨著真空半導(dǎo)體鍍膜技術(shù)的不斷進(jìn)步，對(duì)膜特性進(jìn)行精密把控已經(jīng)成為可能。 

  近年來(lái)，非晶質(zhì)鍍膜和多晶鍍膜在制造光電導(dǎo)器件、鍍膜場(chǎng)效應(yīng)管、高效太陽(yáng)能電池等方面都有迅猛的進(jìn)步。另外，因?yàn)檎婵瞻雽?dǎo)體鍍膜的發(fā)展，因?yàn)閭鞲衅鞯谋∧せ泊蠓冉档土瞬牧线x擇難度，使得制造工藝逐漸簡(jiǎn)化，真空半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備已成為半導(dǎo)體應(yīng)用的一個(gè)必要存在。設(shè)備廣泛應(yīng)用于攝像器件、太陽(yáng)能電池、鍍膜晶體管、場(chǎng)致發(fā)光、陰極發(fā)光、電子發(fā)射、薄膜傳感元件等半導(dǎo)體鍍膜。

該磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線(xiàn)采用全自動(dòng)化控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)，方便直觀的觸摸屏人機(jī)對(duì)話(huà)界面；生產(chǎn)線(xiàn)設(shè)計(jì)了完備的功能菜單，實(shí)現(xiàn)整個(gè)生產(chǎn)線(xiàn)部件運(yùn)行狀態(tài)的全程監(jiān)控，及工藝參數(shù)設(shè)置、運(yùn)行保護(hù)和報(bào)警功能；整個(gè)電氣控制系統(tǒng)安全、可靠和穩(wěn)定。配置了上下雙面磁控濺射靶或單面鍍膜系統(tǒng)。

設(shè)備主要應(yīng)用于陶瓷線(xiàn)路板、貼片高壓電容等基片鍍膜，主要應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)殡娮宇?lèi)線(xiàn)路板。