空心陰極離子鍍膜的工藝過(guò)程如下：

1)在塌內(nèi)放入欽錠。

2)安裝工件。

3)抽真空到 5x10-3Pa后，由銀管向鍍膜室通人氬氣，真空度在 100Pa 左右。

4)開(kāi)啟偏壓電源。

5)開(kāi)啟弧電源以后引燃空心陰極放電。鈕管內(nèi)產(chǎn)生輝光放電，放電電壓為 800~1000V，引弧電流為30~50A。由于輝光放電的空心陰極效應(yīng)，輝光放電電流密度很大，銀管內(nèi)高密度的鼠離子轟擊鉅管壁，使管壁迅速升溫到發(fā)射電子流，放電方式由輝光放電突變?yōu)榛」夥烹?，電壓?0~70V，電流為 80~300A。銀管溫度達(dá)到2300K 以上，呈白熾狀態(tài)，從管發(fā)射出高密度弧光電子流，并射向陽(yáng)極。

6) 調(diào)整真空度。空心陰極槍產(chǎn)生輝光放電的真空度為 100Pa 左右，而鍍膜真空度為8x10-1~2Pa。因此，引燃弧光放電后，盡快減少通入的氬氣，將真空度調(diào)到適合鍍膜的范圍。

7)鍍鈦底層。電子流射到陽(yáng)極塌的欽金屬錠上，動(dòng)能轉(zhuǎn)換為熱能，將欽金屬加熱蒸發(fā)出來(lái)，蒸氣原子到達(dá)工件形成鈦薄膜。

8)沉積 TiN。向鍍膜室通人氮?dú)猓獨(dú)夂驼舭l(fā)出的原子被電離為氮離子和鈦離子。在坩堝上方，鈦蒸氣原子與高密度的低能電子流發(fā)生非彈性碰撞的概率較大，使得金屬離化率高達(dá) 20%~40%，鈦離子比較容易與反應(yīng)氣體氮?dú)膺M(jìn)行化合反應(yīng)，沉積獲得氮化缽膜層?？招年帢O槍既是蒸發(fā)源，又是離化源。鍍膜時(shí)，還應(yīng)調(diào)整坩堝周?chē)姶啪€圈的電流，使電子束聚焦到堆塌中心，從而增大電子流的功率密度。

9)關(guān)機(jī)。膜層厚度達(dá)到預(yù)定膜層厚度以后，關(guān)閉弧電源、偏壓電源和氣源。