2019 年底，全球太陽“光伏總裝機量達到了616GW，預計在 2050年有望達到全球總發(fā)電量的50%。由于光伏半導體材料對光的吸收主要發(fā)生在幾微米到幾百微米的厚度范圍且半導體材料表面對電池性能的影響非常重要，使得真空薄膜技術在太陽能電制造上有廣泛應用。

    產業(yè)化的光伏電池主要分為兩類: 一類為晶硅太陽能電池，另一類為薄膜太陽池。最新型的晶硅電池技術包括鈍化發(fā)射極和背面電池 (PERC) 技術、異質結電池(HJT)技術、鈍化發(fā)射極背表面全擴散 (PERT)技術及隧穿氧化層鈍化接觸 (Topcon)電池技術等。薄膜在晶硅電池中的功能主要包括鈍化、減反射、P/N摻雜、導電。主流的薄膜電池技術包括碲化鎘、銅銦鎵硒、鈣鈦礦等技術。薄膜在其中主要作為光吸收層、導電層等。光伏電池中薄膜的制備較多采用了各類真空鍍膜技術。

——本文由真空鍍膜機廠家廣東振華發(fā)布