金屬有機(jī)化合物氣相沉積技術(shù) (metal organic chemical vapor deposition， MOCVD），采用的氣態(tài)物質(zhì)源是金屬有機(jī)化合物氣體，沉積的基本反應(yīng)過程與CVD相似。

1.MOCVD的原料氣

    MOCVD 采用的氣態(tài)物質(zhì)源是金屬有機(jī)化合物氣。金屬有機(jī)化合物是有機(jī)物與金屬化合生成的比較穩(wěn)定的化合物。有機(jī)化合物有烷基，芳香基等。烷基包括甲基、乙基、丙基、丁基。芳香基包括苯基的同系物，三甲基鎵等[Ga(CH3)3]、三甲基鋁 [Al(CH3)3] 用于沉積微電子、光電子、半導(dǎo)體中的三、五族化合物膜層，如用 Ga(CH3)3和氨氣可以在硅片或在藍(lán)寶石上外延生長LED燈中的 InGaN 發(fā)光層。LED 燈比鎢絲白熾燈節(jié)能 90%，比日光燈節(jié)能60%，現(xiàn)在各種路燈、照明燈和汽車車燈基本上都采用了 MOCVD生產(chǎn)的LED發(fā)光薄膜。

2.沉積溫度

    有機(jī)金屬化合物的分解溫度低，沉積溫度比 HCVD 低。用 MOCVD 沉積 TiN沉積溫度可降到 500C左右。