①鉻靶 鉻作為濺射膜材不但易與基材結(jié)合有很高的附著力，而且鉻與氧化物生成CrO3。膜時，其機(jī)械性能、耐酸性能、熱穩(wěn)定性能都較好。此外，鉻在不完全氧化狀態(tài)下還可生成弱吸收膜。將純度98%以上的鉻制成矩形靶材或圓筒形鉻靶材已有報道。此外，采用燒結(jié)法制成鉻矩形靶的技術(shù)也已成熟。

② ITO靶 制備 ITO膜所用的靶材，過去通常采用 In-Sn 合金材料來制靶，然后在鍍膜過程中通氧，而后生成ITO膜。這種方法由于反應(yīng)氣體控制較難，制重復(fù)性較差。因而，近幾年已經(jīng)被ITO燒結(jié)靶所取代。ITO靶材典型的工藝過程是按質(zhì)量配比，通過球磨法將其充分混合后，再加入專用有機(jī)粉合劑將其混合成所要求的形狀，并通過加壓壓實(shí)后，再將板塊在空氣中以 100℃/h的升溫速度升溫到1600℃后保溫1h，再以冷卻速度為100℃/h降到常溫而制成。制靶時靶平面要求磨光，以免在濺射過程中出現(xiàn)熱點(diǎn)。

③金及金合金靶 金，光澤迷人，具有良好的耐蝕性，是理想的裝飾品表面涂覆材料。過去采用的濕鍍法膜附著力小、強(qiáng)度低、耐磨性差，還有廢液污染問題，因此，必然被干式鍍所取代。其靶型有平面靶、局部復(fù)合靶、管狀靶、局部復(fù)合管狀靶等。其制備方法主要是通過配料后的真空熔煉、酸洗、冷軋、退火、精軋、剪切、表面清洗、冷軋復(fù)合式包合等一系列工藝過程而制取的。這種技術(shù)在國內(nèi)已通過鑒定，使用效果良好。

④ 磁性材靶 磁性材料靶主要是用于鍍制薄膜磁頭、薄膜磁盤等磁性薄膜器件上。由于采用直流磁控濺射法對磁性材料進(jìn)行磁控濺射較為困難。因此，這種靶在制備上采取了所謂具有“間隙靶型”的CT靶。其原理是在靶材表面上切出許多間隙使磁系統(tǒng)可在磁材料靶表面上產(chǎn)生漏泄磁場，從而，使靶材表面上能夠形成正交磁場而達(dá)到磁控濺射成膜的目的.據(jù)稱這種靶材的厚度可達(dá)到20mm。

——本文由真空鍍膜設(shè)備廠家廣東振華發(fā)布