熱絲弧弧光增強等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)采用熱絲弧槍發(fā)射弧光等離子體簡稱熱絲弧弧光PECVD 技術(shù)。該技術(shù)和熱絲弧槍離子鍍膜技術(shù)近似，其區(qū)別在于熱絲弧槍離子鍍獲得固態(tài)薄膜是利用熱絲弧槍發(fā)射的弧光電子流將坩堝中的金屬加熱蒸發(fā)出來，而熱絲弧弧光 PECVD是通入反應(yīng)氣體，如沉金剛石膜通人的反應(yīng)氣是 CH4和 H2。依靠熱絲弧槍發(fā)射的高密度弧光放電流將反應(yīng)氣體電離子、激發(fā)，獲得包括氣體離子、原子離子、活性基團等多種活性粒子。

    熱絲弧PECVD 裝置中仍然在鍍膜室外安裝上下兩個電磁線圈，使高密度的電子流在向陽極運動的過程中旋轉(zhuǎn)起來，增加電子流與反應(yīng)氣體碰撞電離概率。電磁線圈還可以使其匯聚成弧柱，以提高整個沉積室的等離子體密度。在弧光等離子體中，這些活性粒子的密度大，更容易在工件上沉積金剛石膜等膜層。

——本文由化學(xué)氣相沉積設(shè)備廣東振華科技發(fā)布。