電子槍蒸發(fā)源直流二極型離子鍍膜的工藝過程比蒸發(fā)鍍膜的工藝過程復雜，其工藝過程如下:

1)安裝工件。

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2)安裝金屬錠

3)抽真空。開啟電子槍室和鍍膜室的機械泵，抽預真空，達到6Pa 后開啟擴散泵，抽到真空度為5x10-3Pa。

4)清洗工件。向鍍膜室通入氬氣，真空度保持在2~3Pa。工施加負偏壓1000~3000V。接通偏壓電源以后，工件產生輝光放電，氬離子轟擊清洗20min。

5)鍍膜過程。工件清洗后的鍍膜過程中，工件負偏壓為 1000~3000V，真空度為2~3Pa，工件周圍仍然產生輝光放電。開啟電子槍電源，電子束通過差壓板上的氣阻孔進入鍍膜室。電子束的束斑聚焦在金屬錠上將金屬加熱、蒸發(fā)出來，膜層原子在鍍膜室的放電空間內被電離成為離子，離子受工件負偏壓吸引加速到達工件表面形成薄膜。在離子鍍中，金屬的蒸發(fā)和鍍膜過程都是在輝光放電等離子體的環(huán)境中進行的。

由于鍍膜室真空度較低，從蒸發(fā)源蒸發(fā)出來的金屬原子向工件飛行的過程中與輝光放電等離子體中的高能電子發(fā)生非彈性碰撞，金屬原子被電離和激發(fā)得到金屬離子和高能中性原子。金屬離子在工件所加高偏壓的吸引下，以 100~500eV 的能量加速到達工件實現離子鍍膜過程。成膜過程也是蒸發(fā)，輝光放電離化金屬原子，金屬離子在電場加速作用下輸運，高能金屬離子到達工件表面沉積成膜，簡述為蒸發(fā)一離化一電場加速輸運一高能量沉積的過程。鍍膜過程中有大量的高能中性原子參與鍍膜。由于差壓板上氣阻孔的設計合理，鍍膜過程中的電子槍室可始終保持高真空狀態(tài)，可保證電子槍穩(wěn)定工作，所以采用電子束蒸發(fā)源的離子鍍膜機的設計難度就在于氣阻孔的尺寸和位置設定。

6)取出工件。達到預定膜層厚度以后，關閉蒸發(fā)電源、偏壓電源和氣源。待工件溫度降至120C以下后，向鍍膜室通氣，取出工件。

本文由電子束蒸發(fā)鍍膜設備廠家廣東振華科技發(fā)布。