膜材在蒸發(fā)源中的加熱蒸發(fā)可以使膜材粒子以原子(或分子)的形態(tài)進人到氣相空間中。在蒸發(fā)源的高溫作用下,膜材表面的原子或分子獲得足夠的能量,克服表面張力,從表面蒸發(fā)出來。這些蒸發(fā)出來的原子或分子在真空中以氣態(tài)形式存在,即氣相空間。金屬或非金屬材料，

    在真空環(huán)境中,膜材的加熱和蒸發(fā)過程可以得到改善。真空環(huán)境減少了大氣壓力對蒸發(fā)過程的影響,使得蒸發(fā)過程更加容易進行。在大氣壓下,材料需要承受更大的壓力來克服氣體的阻力,而在真空中,這種阻力大大減小,使得材料更容易蒸發(fā)。在蒸發(fā)鍍膜過程中,蒸發(fā)源材料的蒸發(fā)溫度和蒸氣壓是選擇蒸發(fā)源材料的重要因素。對于Cd(Se,s)涂層來說,其蒸發(fā)溫度通常在1000~2000℃,因此需要選擇具有適宜蒸發(fā)溫度的蒸發(fā)源材料。如鋁在大氣壓下的蒸發(fā)溫度為2400℃,但在真空條件下,它的蒸發(fā)溫度會顯著下降。這是因為在真空中沒有大氣分子的阻礙,使得鋁原子或分子能夠更容易地從表面蒸發(fā)出來。這種現(xiàn)象對于真空蒸發(fā)鍍膜來說是一個重要的優(yōu)勢。在真空氣氛中,膜材的蒸發(fā)變得更加容易進行,因此可以在較低的溫度下形成薄膜。這種較低的溫度可以減少材料的氧化和分解,從而有助于制備更高質(zhì)量的薄膜。

    在真空鍍膜過程中,膜材的蒸氣在固體或液體的平衡過程中所表現(xiàn)出來的壓強被稱為該溫度下的飽和蒸氣壓。這個壓強反映了在特定溫度下,物質(zhì)蒸發(fā)和凝結的動態(tài)平衡。通常,真空室中其他部位的溫度遠低于蒸發(fā)源的溫度,這使得蒸發(fā)的膜材原子或分子更容易在真空室的其他部分凝結。這種情況下,如果蒸發(fā)速率大于凝結速率,那么在動態(tài)平衡下,蒸氣壓將達到飽和蒸氣壓。也就是說,在這種情況下,蒸發(fā)的原子或分子數(shù)量和凝結的數(shù)量相等,達到了動態(tài)平衡。

——本文由真空鍍膜設備廠家振華真空發(fā)布