等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積( PECVD)是利用輝光放電的物理作用來激活粒子的一種化學(xué)氣相沉積( CVD)反應(yīng)，是集等離子體輝光放電與CVD于一體的薄膜沉積技術(shù)。PECVD沉積氮化硅的過程溫度僅需300～400℃，因此氮化硅不會(huì)出現(xiàn)因溫度過高引起器件失效的問題。此外，PECVD法還可以通過改變沉積參數(shù)的方法制備不同應(yīng)力狀態(tài)的薄膜以滿足不同的需要。

  采用PECVD技術(shù)制備薄膜材料時(shí)，薄膜的生長主要包含以下三個(gè)基本過程：首先，在非平衡等離子體中，電子與反應(yīng)氣體發(fā)生初級(jí)反應(yīng)，使得反應(yīng)氣體發(fā)生分解，形成離子和活性基團(tuán)的混合物；其次，各種活性基團(tuán)向薄膜生長表面和管壁擴(kuò)散輸運(yùn)，同時(shí)發(fā)生各反應(yīng)物之間的次級(jí)反應(yīng)；最后，到達(dá)生長表面的各種初級(jí)反應(yīng)和次級(jí)反應(yīng)產(chǎn)物被吸附并與表面發(fā)生反應(yīng)，同時(shí)伴隨有氣相分子物的再放出。