晶硅電池技術(shù)發(fā)展的方向包括 PERT技術(shù)與 Topcon 技術(shù)，這兩種技術(shù)被視為傳統(tǒng)擴散法電池技術(shù)的延伸，它們共同特點是電池背面都有鈍化層，而且都采用一層摻雜多晶硅作為背場。鈍化層較多采用高溫氧化層，摻雜多晶硅層則采用LPCVD和PECVD等方式。管式PECVD和平板式PECVD已在PERC電池的大規(guī)模量產(chǎn)中使用。

    管式PECVD產(chǎn)能大，一般采用幾十千赫的低頻電源，離子轟擊和繞鍍問題可能影響鈍化層的質(zhì)量。平板式 PECVD沒有繞鍍問題，在鍍膜性能上有較大優(yōu)勢，可用于摻雜 Si、SiO.、SiC薄膜的沉積。缺點在于所鍍薄膜中含有大量氫，易造成膜層起泡，在鍍膜厚度上受限。LPCVD鍍膜技術(shù)采用管式爐鍍膜時，具有較大產(chǎn)能，可以沉積較厚的多晶硅薄膜，但也會有繞鍍發(fā)生，在 LPCVD 工藝后還須將繞鍍的膜層去除且不傷及底層。量產(chǎn)的 Topcon 電池已達到23%的平均轉(zhuǎn)換效率。