1、有利于濺射鍍絕緣膜。電極極性的迅速變化可用于直接濺射絕緣靶材獲得絕緣膜。如果采用直流電源濺射沉積絕緣膜時，絕緣膜會阻擋正離子進入陰極，形成正離子堆積層，易造成擊穿打火。陽極沉積絕緣膜后會阻擋電子進入陽極，產(chǎn)生陽極消失現(xiàn)象。而采用射頻電源鍍絕緣膜時，由于電極極性是交替變換的，上半個周期在陰極上積累的正電荷將在下半個周期內(nèi)被電子中和，陽極上積累的電子被正離子中和；下半周期過程相反可以消除電極上的電荷積累，放電過程可以正常進行。

2、高頻電極產(chǎn)生自偏壓。在平板電極結(jié)構(gòu)的射頻裝置中，采用電容耦合匹配的電路中高頻電極產(chǎn)生自偏壓。放電中電子遷移速度與離子遷移速度的巨大差異，使在給定時間中電子能夠得到更大的運動速度，而離子速度較慢造成累積，高頻電極在每個周期的大部分時間處于負電位，對地形成負電壓，這就是高頻電極的自偏壓現(xiàn)象。

    射頻放電電極產(chǎn)生的自偏壓加速離子轟擊陰極電極不斷發(fā)射二次電子維持放電過程，自偏壓起到了和直流輝光放電中陰極位降類似的作用。雖然采用的是射頻電源，但是由于高頻電極產(chǎn)生的自偏壓可以達到 500~1000V，所以放電可以穩(wěn)定進行。

3、射頻放電在后面介紹的大氣壓下輝光放電和介質(zhì)阻擋型輝光放電中發(fā)揮了重要作用。