1.離子束濺射鍍膜

    用中等能量的離子束轟擊材料表面，離子具有的能量使之進(jìn)入不了材料的晶格中，而是把能量傳遞給靶材原子，使其產(chǎn)生濺射作用飛離材料表面，而后在工件上沉積形成薄膜。

    由于是離子束產(chǎn)生的濺射，所以濺射下來的膜層原子的能量很高，而且是在較高真空度下用離子束轟擊靶材，膜層的純度高，可以沉積高質(zhì)量的薄膜，同時(shí)離子束膜層的穩(wěn)定性提高，可達(dá)到改善膜層光學(xué)和力學(xué)性能的目的。離子束濺射的目的是形成新的薄膜材料。

2.離子束刻蝕

    離子束刻蝕也是用中等能量的離子束轟擊材料表面產(chǎn)生濺射，對基材產(chǎn)生刻蝕作用，是半導(dǎo)體器件、光電子器件等領(lǐng)域制作圖形的核心技術(shù)。半導(dǎo)體集成電路中芯片的制備技術(shù)是要在直徑為Φ12in (Φ304.8mm) 的單晶硅基圓上制備出上百萬個(gè)晶體管。每個(gè)晶體管是由多層功能不同的薄膜搭建而成的，由有源層、絕緣層、隔離層、導(dǎo)電層等組成。每一個(gè)功能層都有自己的圖形，因此每鍍一層功能薄膜以后，需要用離子束刻蝕掉無用的部分，將有用的薄膜成分保留下來。現(xiàn)在芯片的導(dǎo)線寬度已經(jīng)達(dá)到 7mm，制備如此精細(xì)的圖形必須采用離子束刻蝕技術(shù)。與開始采用的濕法刻蝕相比，離子束刻蝕屬于干法刻蝕，刻蝕精度高。

    離子束刻蝕技術(shù)有用非活性離子束刻蝕和用活性離子束刻蝕兩種。前者用氬離子束進(jìn)行刻蝕，屬于物理反應(yīng)；后者用氟離子束濺射，氟離子束除了用高能量產(chǎn)生踐射作用以外，氟離子束還可以與被刻蝕的 SiO2、Si3N4、GaAs、W 等薄膜發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，是既有物理反應(yīng)過程，又有化學(xué)反應(yīng)過程的離子束刻蝕技術(shù)，刻蝕速率快。反應(yīng)刻蝕的腐蝕氣體有 CF4、C2F6、CCl4、BCl3, 等，生成的反應(yīng)物為 SiF4、SiCl4、GCl3;、WF6，都是腐蝕性氣體被抽除。離子束刻蝕技術(shù)是生產(chǎn)高新技術(shù)產(chǎn)品的關(guān)鍵技術(shù)。

——本文由濺射鍍膜機(jī)廠家廣東振華發(fā)布