a.濺射速率高。如濺射SiO2時(shí)，沉積速率可達(dá)200nm/min。通常也可達(dá)10~100nm/min。

而且成膜的速率與高頻功率成正比關(guān)系。

    b.膜與基體間的附著力大于真空蒸鍍的膜層。這是由于向基體內(nèi)入射的原子平均動(dòng)能大約為 10eV，而且處于等離子體中的基體會(huì)受到嚴(yán)格的濺射清洗致使膜層針孔少、純度高、膜層致密。

    c.膜材適應(yīng)性廣泛，既可是金屬也可以是非金屬或化合物，幾乎所有材料可制備成圓形板狀，可長(zhǎng)期使用。

    d.對(duì)基體形狀要求不苛刻?；w表面不平或存在寬度在 1mm 以下的小狹縫也可濺射成膜。

射頻濺射鍍膜的應(yīng)用  基于上述特點(diǎn)，目前射頻濺射沉積的涂層應(yīng)用比較廣泛，特別是在集成電路及介質(zhì)功能薄膜的制備上應(yīng)用尤為廣泛。例如，用射頻濺射沉積的非導(dǎo)體和半導(dǎo)體材料，包括元素:半導(dǎo)體 Si和 Ge，化合物材料 GsAs、GaSb、GaN、InSb、InN、AIN、CaSe、Cds、PbTe，高溫半導(dǎo)體 SiC，鐵電化合物 B14T3O12，氣化物體材料 In2Os、SiO2、Al203、Y203、TiO2、ZiO2、SnO2、PtO、HfO2、Bi2O2、ZnO2、CdO、玻璃、塑料等。

    如果在鍍膜室中放置幾個(gè)靶，還可以在同一室內(nèi)，不破壞真空一次性完成多層薄膜的制備。專(zhuān)用電極射頻裝置對(duì)軸承內(nèi)、外環(huán)進(jìn)行二硫化涂層的制備就是一例，該設(shè)備所采用的射頻源頻率為 11.36MHz，靶電壓為 2~3kV，總功率為 12kW,工作范圍的磁感應(yīng)強(qiáng)度為 0.008T，真空室的極限真空度為6.5X10-4Pa。射頻濺射鍍膜的不足處是設(shè)備復(fù)雜、運(yùn)行費(fèi)用高、沉積速率偏低。而且，其射頻濺射功率利用效率低，大量功率轉(zhuǎn)成熱量，從靶的冷卻水中流失。

——本文由濺射鍍膜設(shè)備廠家廣東振華發(fā)布