已有大量的過(guò)程可以用于并且已經(jīng)用于光學(xué)薄膜的沉積。薄膜沉積通常在真空中進(jìn)行的可以歸結(jié)為物理氣相沉積(縮寫(xiě)為 PVD)。在這些過(guò)程中,薄膜從蒸氣凝聚為固態(tài)?！拔锢怼焙汀盎瘜W(xué)”不同,但不代表在薄膜的形成過(guò)程中完全沒(méi)有化學(xué)參數(shù)。事實(shí)上,其中是有化學(xué)反應(yīng)的,但是化學(xué)氣相沉積(縮寫(xiě)為CVD)是指用化學(xué)反應(yīng)的方法生長(zhǎng)薄膜的一系列技術(shù),這種過(guò)程生長(zhǎng)出來(lái)的薄膜和初始材料相比有完全不同的組分和性質(zhì)。

    物理氣相沉積過(guò)程可以有多種分類,但是最有用的分類法是基于產(chǎn)生蒸氣的方法和沉積以及薄膜生長(zhǎng)中的能量。在真空或熱蒸發(fā)一直是首要的物理氣相沉積工藝,而且由于它的簡(jiǎn)單化、靈活性、相對(duì)低廉的價(jià)格,以及現(xiàn)有的數(shù)量龐大的沉積系統(tǒng),蒸發(fā)在今后很長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi)仍將是最重要的方法。然而,這種方法有明顯的缺點(diǎn),特別是在考慮薄膜的微結(jié)構(gòu)及高性能特殊薄膜方面。其他沉積方法,如濺射正在被采用。在熱蒸發(fā)過(guò)程中,材料(也就是蒸發(fā)物)堆積在一起,加熱到可以汽化的溫度,然后,蒸氣在基底上凝聚成固體薄膜,基底溫度控制在蒸發(fā)物的凝聚點(diǎn)之下。實(shí)際上,沉積分子在蒸發(fā)源和基底之間作直線運(yùn)動(dòng),而且控制沉積物厚度的規(guī)則和控制發(fā)光的規(guī)則是相似的。在濺射中,通過(guò)高能粒子(大多數(shù)為離子)轟擊目標(biāo)產(chǎn)生蒸氣,這樣目標(biāo)原子和分子將被轟離。這種方法產(chǎn)生的蒸氣和熱蒸發(fā)產(chǎn)生的蒸氣相比具有更高的能量,這些能量對(duì)凝聚和薄膜生長(zhǎng)過(guò)程產(chǎn)生重要影響,主要表現(xiàn)為薄膜通常更致密和牢固。在其他的物理氣相沉積方法中,熱蒸發(fā)材料的冷凝有以通過(guò)直接高能粒子轟擊提供額外的能量。這些過(guò)程以及濺射過(guò)程都稱為高能過(guò)程。

——本文由真空鍍膜設(shè)備廠家振華真空發(fā)布