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PECVD沉積氮化硅薄膜

文章作者:廣東振華科技
閱讀:2630
發(fā)布時間:2022-05-07
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  等離子體增強化學氣相沉積( PECVD)是利用輝光放電的物理作用來激活粒子的一種化學氣相沉積( CVD)反應,是集等離子體輝光放電與CVD于一體的薄膜沉積技術(shù)。PECVD沉積氮化硅的過程溫度僅需300~400℃,因此氮化硅不會出現(xiàn)因溫度過高引起器件失效的問題。此外,PECVD法還可以通過改變沉積參數(shù)的方法制備不同應力狀態(tài)的薄膜以滿足不同的需要。

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  采用PECVD技術(shù)制備薄膜材料時,薄膜的生長主要包含以下三個基本過程:首先,在非平衡等離子體中,電子與反應氣體發(fā)生初級反應,使得反應氣體發(fā)生分解,形成離子和活性基團的混合物;其次,各種活性基團向薄膜生長表面和管壁擴散輸運,同時發(fā)生各反應物之間的次級反應;最后,到達生長表面的各種初級反應和次級反應產(chǎn)物被吸附并與表面發(fā)生反應,同時伴隨有氣相分子物的再放出。

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