等離子體增強化學氣相沉積( PECVD)是利用輝光放電的物理作用來激活粒子的一種化學氣相沉積( CVD)反應，是集等離子體輝光放電與CVD于一體的薄膜沉積技術(shù)。PECVD沉積氮化硅的過程溫度僅需300～400℃，因此氮化硅不會出現(xiàn)因溫度過高引起器件失效的問題。此外，PECVD法還可以通過改變沉積參數(shù)的方法制備不同應力狀態(tài)的薄膜以滿足不同的需要。

  采用PECVD技術(shù)制備薄膜材料時，薄膜的生長主要包含以下三個基本過程：首先，在非平衡等離子體中，電子與反應氣體發(fā)生初級反應，使得反應氣體發(fā)生分解，形成離子和活性基團的混合物；其次，各種活性基團向薄膜生長表面和管壁擴散輸運，同時發(fā)生各反應物之間的次級反應；最后，到達生長表面的各種初級反應和次級反應產(chǎn)物被吸附并與表面發(fā)生反應，同時伴隨有氣相分子物的再放出。