1、離子束輔助沉積 ，主要采用低能離子束，對(duì)材料表面改性時(shí)發(fā)揮助力作用。

（1）離子輔助沉積的特點(diǎn)

    在鍍膜過(guò)程中一邊鍍膜，一邊用荷能離子束照射沉積的膜層粒子在基材表面不斷受到來(lái)自離子源的荷能離子的轟擊。

（2）離子輔助沉積的作用

    高能離子隨時(shí)轟擊掉結(jié)合不牢固的膜層粒子；通過(guò)能量的轉(zhuǎn)移，使沉積粒子獲得較大的動(dòng)能，從而改善形核生長(zhǎng)的規(guī)律；隨時(shí)對(duì)膜層組織產(chǎn)生夯實(shí)作用，使薄膜生長(zhǎng)得更致密；如果注入的是反應(yīng)氣離子，在材料表面可以形成符合化學(xué)計(jì)量比的化合物層，化合物層和基材之間沒(méi)有界面。

2、離子束輔助沉積用離子源

離子束輔助沉積的特點(diǎn)是膜層原子 (沉積粒子)在基材表面不斷受到來(lái)自離子源的低能離子的轟擊，使薄膜組織非常致密，膜層的性能提高。離子束的能量E≤500eV。常用的離子源包括：考夫曼離子源、霍爾離子源、陽(yáng)極層離子源、中空陰極霍爾離子源、射頻離子源等。