直接引出式離子束沉積是離子束輔助沉積方式的一種。直接引出式離子束沉積屬于非質(zhì)量分離式離子束沉積。該技術于 1971 年首先被用于制取類金剛石碳膜，其原理是:離子源陰極和陽極的主要部分的材料都是由碳構(gòu)成。將顯氣引人到放電室中，加上外部磁場，在低氣壓條件下使其發(fā)生等離子放電，依靠離子對電極的濺射作用產(chǎn)生碳離子。碳離子和等離子體中的氳離子被同時引人沉積室中，由于基材上有負偏壓，它們被加速人射到基材上。試驗結(jié)果表明，室溫下用能量為 50~100eV 的碳離子，在 Si、NaCI、KCI、Ni 等基片上制取了透明的類金剛石碳膜，電阻率高達 10Q·cm,折射率約為 2，不溶于無機酸和有機酸，有很高的硬度。

——本文由真空鍍膜機廠家廣東振華發(fā)布