磁控濺射鍍膜與其他鍍膜技術(shù)相比，其顯著特征為：工作參數(shù)有大的動態(tài)調(diào)節(jié)范圍鍍膜沉積速度和厚度(鍍膜區(qū)域的狀態(tài)) 容易控制，對磁控靶的幾何形狀沒有設計上的限制，以保證鍍膜的均勻性；膜層沒有液滴顆粒問題：幾乎所有金屬、合金和陶瓷材料都可以制成靶材料；通過直流或射頻磁控濺射，可以生成純金屬或配比精確恒定的合金鍍膜以及氣體參與的金屬反應膜，滿足薄膜多樣和高精度的要求。磁控濺射鍍膜的典型工藝參數(shù)為：工作壓強為01Pa；靶電壓300~700V，靶功率密度1~36W/cm2。磁控濺射的具體特點有:

    (1) 沉積速率高。由于采用磁控電極，可以獲得非常大的靶轟擊離子電流，因此，靶表面的濺射刻蝕速率和基片面上的膜沉積速率都很高。

    (2) 功率效率高。低能電子與氣體原子的碰撞概率高，因此氣體離化率大大增加。相應地，放電氣體(或等離子體)的阻抗大幅度降低。因此，直流磁控濺射與直流二極濺射相比，即使工作壓力由1~10Pa降低到 10-2~10-1Pa濺射電壓也同時由幾千伏降低到幾百伏，濺射效率和沉積速率反而成數(shù)量級增加。

    (3) 低能濺射。由于靶上施加的陰極電壓低，等離子體被磁場束縛在陰極附近的空間中，從而抑制了高能帶電粒子向基片一側(cè)入射。因此，由帶電粒子轟擊引起的，對半導體器件等基體造成的損傷程度比其他濺射方式低。

——本文由真空鍍膜機廠家廣東振華發(fā)布