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蒸發(fā)鍍膜與磁控濺射有什么區(qū)別

文章作者:振華真空
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發(fā)布時(shí)間:2024-10-18
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    蒸發(fā)鍍膜與磁控濺射是兩種常見的物理氣相沉積(PVD)技術(shù),它們?cè)谠?、?yīng)用及特點(diǎn)上存在顯著的區(qū)別。

一、原理區(qū)別

蒸發(fā)鍍膜:

蒸發(fā)鍍膜通過加熱固態(tài)材料至高溫,使其蒸發(fā)成氣態(tài),然后在真空環(huán)境中擴(kuò)散,最后在基片表面凝結(jié)形成薄膜。

常用的蒸發(fā)源包括電阻加熱、電子束加熱和激光加熱。

磁控濺射:

磁控濺射則是利用高能離子(通常是氬離子)轟擊靶材表面,使靶材原子濺射出來,并在基片表面沉積形成薄膜。

在濺射過程中,電子在電場(chǎng)的作用下加速飛向基片,與氬原子碰撞電離出大量的氬離子和電子。氬離子在電場(chǎng)的作用下加速轟擊靶材,濺射出大量的靶材原子。同時(shí),磁場(chǎng)束縛和延長(zhǎng)電子的運(yùn)動(dòng)路徑,提高工作氣體的電離率和有效利用電子的能量。

二、應(yīng)用及特點(diǎn)區(qū)別

蒸發(fā)鍍膜:

優(yōu)點(diǎn):蒸發(fā)鍍膜技術(shù)成熟度高,成膜速率快,成膜純度高。

缺點(diǎn):薄膜附著力一般,且對(duì)于高熔點(diǎn)材料,蒸發(fā)鍍膜可能面臨加熱溫度限制的問題。

應(yīng)用領(lǐng)域:蒸發(fā)鍍膜廣泛應(yīng)用于光學(xué)反射鏡、濾光片、集成電路和太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域。

磁控濺射:

優(yōu)點(diǎn):磁控濺射制備的薄膜附著力強(qiáng),重復(fù)性好,且由于磁場(chǎng)可控特性,膜厚也可控。

缺點(diǎn):薄膜中間可能較厚,兩邊較薄,且對(duì)于磁性靶材,磁控濺射的效果可能受到影響。

應(yīng)用領(lǐng)域:磁控濺射在制備高質(zhì)量、高性能的薄膜材料方面具有重要應(yīng)用,如光學(xué)薄膜、磁性薄膜、硬質(zhì)薄膜等。

三、設(shè)備與技術(shù)差異

蒸發(fā)鍍膜設(shè)備:

主要包括真空室、蒸發(fā)源(如電阻加熱源、電子束加熱源等)、控制系統(tǒng)和監(jiān)測(cè)系統(tǒng)等。

磁控濺射設(shè)備:

通常包括真空室、靶材、離子源、磁場(chǎng)裝置、控制系統(tǒng)和監(jiān)測(cè)系統(tǒng)等。其中,磁場(chǎng)裝置是實(shí)現(xiàn)磁控濺射的關(guān)鍵部件。

綜上所述,蒸發(fā)鍍膜與磁控濺射在原理、應(yīng)用及特點(diǎn)上存在顯著差異。選擇哪種技術(shù)取決于具體的材料性質(zhì)、薄膜性能要求和工藝條件。


——本文由磁控濺射鍍膜設(shè)備廠家振華真空發(fā)布

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