蒸發(fā)鍍膜與磁控濺射有什么區(qū)別

文章作者：振華真空

閱讀：898

發(fā)布時(shí)間：2024-10-18

返回上一級(jí)

蒸發(fā)鍍膜與磁控濺射是兩種常見的物理氣相沉積（PVD）技術(shù)，它們?cè)谠?、?yīng)用及特點(diǎn)上存在顯著的區(qū)別。

一、原理區(qū)別

蒸發(fā)鍍膜：

蒸發(fā)鍍膜通過加熱固態(tài)材料至高溫，使其蒸發(fā)成氣態(tài)，然后在真空環(huán)境中擴(kuò)散，最后在基片表面凝結(jié)形成薄膜。

常用的蒸發(fā)源包括電阻加熱、電子束加熱和激光加熱。

磁控濺射：

磁控濺射則是利用高能離子（通常是氬離子）轟擊靶材表面，使靶材原子濺射出來，并在基片表面沉積形成薄膜。

在濺射過程中，電子在電場(chǎng)的作用下加速飛向基片，與氬原子碰撞電離出大量的氬離子和電子。氬離子在電場(chǎng)的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子。同時(shí)，磁場(chǎng)束縛和延長(zhǎng)電子的運(yùn)動(dòng)路徑，提高工作氣體的電離率和有效利用電子的能量。

二、應(yīng)用及特點(diǎn)區(qū)別

蒸發(fā)鍍膜：

優(yōu)點(diǎn)：蒸發(fā)鍍膜技術(shù)成熟度高，成膜速率快，成膜純度高。

缺點(diǎn)：薄膜附著力一般，且對(duì)于高熔點(diǎn)材料，蒸發(fā)鍍膜可能面臨加熱溫度限制的問題。

應(yīng)用領(lǐng)域：蒸發(fā)鍍膜廣泛應(yīng)用于光學(xué)反射鏡、濾光片、集成電路和太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域。

磁控濺射：

優(yōu)點(diǎn)：磁控濺射制備的薄膜附著力強(qiáng)，重復(fù)性好，且由于磁場(chǎng)可控特性，膜厚也可控。

缺點(diǎn)：薄膜中間可能較厚，兩邊較薄，且對(duì)于磁性靶材，磁控濺射的效果可能受到影響。

應(yīng)用領(lǐng)域：磁控濺射在制備高質(zhì)量、高性能的薄膜材料方面具有重要應(yīng)用，如光學(xué)薄膜、磁性薄膜、硬質(zhì)薄膜等。

三、設(shè)備與技術(shù)差異

蒸發(fā)鍍膜設(shè)備：

主要包括真空室、蒸發(fā)源（如電阻加熱源、電子束加熱源等）、控制系統(tǒng)和監(jiān)測(cè)系統(tǒng)等。