離子束輔助沉積的方式主要有兩種，一是動(dòng)態(tài)混合式；二是靜態(tài)混合式。前者是指膜在生長(zhǎng)過(guò)程中始終伴隨著一定的能量和束流的離子轟擊而成膜的；后者則是預(yù)先在基體表面上沉積一層小于幾納米厚度的膜層，然后再進(jìn)行動(dòng)態(tài)的離子轟擊，并且可如此重復(fù)多次而生長(zhǎng)成膜層。

    離子束輔助沉積薄膜中所選用的離子束能量多在30eV到100keV之間。選用的能量范圍大小取決于合成薄膜的應(yīng)用種類。例如，制備腐蝕防護(hù)、抗機(jī)械磨損、裝飾用涂層等薄膜則應(yīng)選用較高的轟擊能量。實(shí)驗(yàn)表明，如選用20～40keV能量的離子束轟擊時(shí)，對(duì)基體材料和膜本身的損傷都不會(huì)影響其性能和使用。在制備光學(xué)和電子器件薄膜時(shí)，則應(yīng)選擇較低能量的離子束輔助沉積，這不但能減少光吸附和避免電激活缺陷的形成，而且也有利于形成膜的穩(wěn)態(tài)結(jié)構(gòu)。研究表明，選用低于500eV的離子能量就可以獲得性能優(yōu)異的薄膜。

——本文由磁控鍍膜設(shè)備廠家廣東振華發(fā)布