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化學(xué)氣相沉積技術(shù)概述

文章作者:廣東振華科技
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發(fā)布時(shí)間:2024-03-01
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  化學(xué)氣相沉積技術(shù),簡(jiǎn)稱CVD技術(shù)。它是利用加熱、等離子體增強(qiáng)、光輔助等手段在常壓或低壓條件下使氣態(tài)物質(zhì)通過化學(xué)反應(yīng)在基體表面上制成固態(tài)薄膜的一種成膜技術(shù)。一般把反應(yīng)物是氣體而生成物之一是固態(tài)的反應(yīng),成為CVD反應(yīng)。利用CVD反應(yīng)所制備的涂層種類較多,特別是在半導(dǎo)體工藝中用途廣泛,例如在半導(dǎo)體領(lǐng)域,原料的精制、高質(zhì)量半導(dǎo)體單晶膜的制備、多晶膜非晶膜的生長(zhǎng),可以說從電子器件到集成電路的制作等無一不與CVD技術(shù)有關(guān)。此外,在材料表面處理上更是受到人們青睞,例如機(jī)械、核反應(yīng)堆、宇航、醫(yī)用以及化工設(shè)備等各種材料都可以按照它們不同要求,采用CVD成膜方法制備出具有防腐蝕、耐熱、耐磨、表面強(qiáng)化等功能性涂層。

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