CVD 技術(shù)中的各類(lèi)成膜方法及特點(diǎn)
依據(jù)在CVD工藝過(guò)程中參與反應(yīng)氣體壓力的大小，反應(yīng)程度的高低以及采用的化學(xué)手段的不同，可將所運(yùn)用各種不同類(lèi)型的CVD成膜方法分成不同類(lèi)別，見(jiàn)表
| CVD方法分類(lèi) | 沉積速率/(μm/min) | 溫度范圍/℃ | 例實(shí) |
常壓高溫 CVD法(NPCVD法) | 500~1500 | 600~1200 | SiCl4/H2 |
常壓低溫 CVD法 | 約100 | 200~500 | SiCl4/O2 |
低壓高溫CVD法(LPCVD法) | 約10 | — | SiH4(26.6Pa) |
低壓低溫CVD法(LPCVD法) | — | 600~700 | 450以下 |
等離子體增強(qiáng)CVD法(PEVCD法) | 8~150 | 約 500 | TiCl4/H2·N2 |
金屬有機(jī)化合物VCD法(MOCVD法) | 20~60 | 500~600 | (CH3)Ga/(C2H5)Sb |
| 光輔助CVD法(PhotoniCVD法) | 約120 | — | WF4/H2 |
CVD技術(shù)具有如下一些特點(diǎn)；①設(shè)備的工藝操作較簡(jiǎn)單、靈活性較強(qiáng)，能制備出配比各異的單一或復(fù)合膜層和合金膜層;②CVD法的適用性較廣泛，可制備各種金屬或金屬膜涂層;③因沉積速率可高達(dá)每分鐘幾微米到數(shù)百微米，因此生產(chǎn)效率高;④與PVD法相比較繞射性好，非常適宜涂覆形狀復(fù)雜的基體，如槽溝、涂孔甚至盲孔結(jié)構(gòu)均可鍍制成膜;⑤涂層致密性好，由于成膜過(guò)程溫度較高，膜基界面上的附著力很強(qiáng)，故膜層十分牢固;⑥承受放射線(xiàn)輻射后的損傷較低，能與MOS集成電路工藝相融合。CVD技術(shù)的不足，一是沉積溫度高，可達(dá)800~1100℃。在這樣高的溫度下工件易于變形，特別是對(duì)于那些不耐高溫變化的高精度尺寸的工件，其用途會(huì)受到一定的限制;二是由于參與沉積的反應(yīng)物質(zhì)及反應(yīng)后的氣體大都具有易燃、易爆、有毒或是有一定腐蝕性，因此必須采取一定的防護(hù)措施。
——本文由真空鍍膜設(shè)備廠(chǎng)家廣東振華發(fā)布
