1.工件偏壓低

由于增設(shè)了提高離化率的裝置，提高了放電電流密度，偏壓降低為 0.5~1kV.

減少了高能離子的過度轟擊造成的反濺射和對工件表面的損傷效應(yīng)。

2.等離子體密度增加

增加了各種促進(jìn)碰撞電離的措施，金屬離化率由 3%提高到 15%以上。鍍膜室內(nèi)的欽離子和高能中性原子，氮離子、高能活性原子和活性基團(tuán)密度增大，有利于反應(yīng)生成化合物。以上各種增強(qiáng)型輝光放電離子鍍膜技術(shù)已經(jīng)可以在較高等離子體密度中進(jìn)行反應(yīng)沉積獲得 TN 硬質(zhì)膜層，但由于屬于輝光放電類型，放電電流密度不夠高(仍為 mA/cm²級)，和的總體等離子體密度不夠高，反應(yīng)沉積化合物膜層的工藝難度較大。

3.點(diǎn)狀蒸發(fā)源鍍膜范圍小

各種增強(qiáng)型離子鍍膜技術(shù)都是采用電子束蒸發(fā)源，甘塌作為點(diǎn)狀蒸發(fā)源，僅限于甘塌上方的一定區(qū)間進(jìn)行反應(yīng)沉積，所以生產(chǎn)率低，工藝難度大，難以產(chǎn)業(yè)化。

4.電子槍高壓操作

電子槍電壓為6~30kV，工件偏壓為 0.5~3kV，屬于高壓操作，有一定的安全隱患。

      ——本文由真空磁控濺射鍍膜設(shè)備廠家廣東振華科技發(fā)布。