1) 比平面靶的靶材利用率高。在鍍膜過程中，無論是旋磁型還是旋靶管型柱狀磁控濺射靶，靶管表面各個部位連續(xù)經(jīng)過永磁體前面產(chǎn)生的濺射區(qū)接受陰極濺射，靶材可以受到均勻的濺射刻蝕，靶材利用率高。靶材利用率高達80%~90%。

2)不容易產(chǎn)生“靶中毒”。鍍膜過程中靶管表面始終受到離子的濺射刻蝕表面上不容易積存很厚的氧化物等絕緣膜，不容易產(chǎn)生“靶中毒”。

3)旋靶管型柱狀磁控濺射靶的結(jié)構(gòu)簡單，安裝方便。

4)靶管材料成分多樣。平面磁控濺射靶靶材用金屬靶材時直接水冷，而一些不能加工成形的靶材，如 Cr、（In2-SnO2）靶等用粉末材料進行熱等靜壓方式獲得板狀靶材，由于尺寸不能做得很大，又有脆性，所以需要用釬焊方式與銅背板連成一體再安裝在靶座上。柱狀靶材除了用金屬管材之外，還可以在不銹鋼管表面噴涂各種需要鍍膜的材料，如 Si、Cr 等。

    目前，在產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)中采用旋靶管型柱狀磁控濺射靶進行鍍膜的比例在增加而且不單是立式鍍膜機，卷繞鍍膜機中的孿生靶也在用柱狀磁控濺射靶，近幾年逐漸用柱狀孿生靶替代平面孿生靶。

                                                                                                                                                     ——本文由真空磁控濺射鍍膜設(shè)備廠家廣東振華科技發(fā)布。