在濺射鍍膜工藝中，雖然可以采用化合物為靶材制備化合薄膜。但是，由于靶材被濺射后所生成的薄膜成分往往與靶材原來的成分有較大的偏離，故達(dá)不到原來所設(shè)計的要求。如果采用純金屬靶材，把所需要的活性氣體 (如制備氧化物薄膜時通入氧氣) 有意識地混合到工作 (放電)氣體中去，使之與靶材進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，從而生成可以得到控制其組分與特性的薄膜。人們通常稱這種方法為“反應(yīng)濺射法”。

    如前所述，可以采用射頻濺射，沉積介質(zhì)薄膜和各種化合物薄膜。但是，為了制備“純”的薄膜，必須先有“純”的靶，高純的氧化物、氮化物、碳化物或其他化合物的粉末。用這些粉末加工成一定形狀的靶，需要添加成型或燒結(jié)必需的添加劑，這就導(dǎo)致靶和所成膜的純度大大降低。但在反應(yīng)濺射中，由于可以采用高純的金屬和高純的氣體，因此，為制備高純的薄膜提供了方便的條件。反應(yīng)濺射近年來日益受到重視，并成為淀積各種功能化合物薄膜的一種主要方法。它已經(jīng)在制造I-V族、I-族和IV-V族化合物、難熔半導(dǎo)體以及各種氧化物等方面得到了廣泛的應(yīng)用，如采用多晶 Si和 CH./Ar 混合氣體射淀 SiC 薄膜、用Ti靶和 N/Ar制備 TiN 硬質(zhì)薄膜、用 Ta和 O/Ar 制備 TaO;介質(zhì)薄膜、用 Fe和O,/Ar制備 -FezO;記錄薄膜、用A1和 N/Ar 制備 AIN 壓電薄膜、用 AI和 CO/Ar制備 A1-C-O 選擇性吸收薄膜以及用 Y-Ba-Cu 和 O/Ar 制備 YBaCuO-超導(dǎo)薄膜等等。

——本文由濺射鍍膜設(shè)備廠家廣東振華發(fā)布