1、真空蒸發(fā)鍍膜設(shè)備過程包括膜料物質(zhì)的蒸發(fā)、蒸氣原子在高真空中傳輸和蒸氣原子在工件表面形核、成長為成膜的過程。

2、真空蒸發(fā)鍍膜的沉積真空度高，一般為 10-510-3Pa。氣體分子自由程為1~10m 數(shù)量級，遠(yuǎn)大于蒸發(fā)源到工件的距離，這個距離叫蒸發(fā)距離，一般為 300~800mm。膜層粒子幾乎不與氣體分子和蒸氣原子發(fā)生碰撞，徑直達(dá)到工件。

3、真空蒸發(fā)鍍膜膜層沒有繞鍍性，蒸氣原子在高真空度下徑直方向工件。工件上只有面向蒸發(fā)源的一面可獲得膜層，工件的側(cè)面、背面幾乎得不到膜層，膜層的繞鍍性差。

4、真空蒸發(fā)鍍膜層粒子的能量低，其到達(dá)工件的能量是蒸發(fā)時所攜帶的熱能。由于真空蒸發(fā)鍍膜時工件不加偏壓，金屬原子只是靠蒸發(fā)時的汽化熱，蒸發(fā)溫度為 1000~2000℃，攜帶的能量相當(dāng)于 0.1~0.2eV， 所以膜層粒子的能量低，膜層和基體結(jié)合力小，很難形成化合物涂層。

5、 真空蒸發(fā)鍍膜層組織細(xì)密。真空蒸發(fā)鍍過程是在高真空下形成的，蒸氣中的膜層粒子基本上是原子尺度，在工件表面形成細(xì)小的核心，生長成細(xì)密的組織。