離子鍍膜層的沉積離子來源于各種類型的蒸發(fā)源或?yàn)R射源，從離子來源的角度可分成蒸發(fā)離子鍍和濺射離子鍍兩大類：

(1) 蒸發(fā)離子鍍：通過各種加熱方式加熱鍍膜材料，使之蒸發(fā)產(chǎn)生金屬蒸氣，將其引入以各種方式激勵產(chǎn)生的氣體放電空間中使之電離成金屬離子，它們到達(dá)施加負(fù)偏壓的基片上沉積成膜。

    蒸發(fā)離子鍍的類型較多，按膜材的氣化方式分，有電阻加熱、電子束加熱、等離子體束加熱、高頻或中頻感應(yīng)加熱、電弧放電加熱蒸發(fā)等；按氣化分子或原子的離化和激發(fā)方式分，有輝光放電型、電子束型、熱電子束型、等離子束型、磁場增強(qiáng)型以及各類型離子源等。

    不同的蒸發(fā)源和不同原子的電離與激發(fā)的方式有多種組合，因此出現(xiàn)了許多種蒸發(fā)源源等。型離子鍍的方法，常見的有直流放電式(二極或三極)離子鍍、反應(yīng)蒸發(fā)離子鍍 (電子槍蒸發(fā)或空心陰極蒸發(fā))、高頻電離式離子鍍、電弧放電式離子鍍(柱形陰極弧源或平面陰極弧源)、熱陰極電弧強(qiáng)流離子鍍、離化團(tuán)束離子鍍等幾種形式。

(2)濺射離子鍍：通過采用高能離子對膜材表面進(jìn)行射而產(chǎn)生金屬粒子，金屬粒子在氣體放電空間電離成金屬離子，它們到達(dá)施加負(fù)偏壓的基片上沉積成膜。

(3)濺射離子鍍有磁控濺射離子鍍、非平衡磁控濺射離子鍍、中頻交流磁控離子鍍和射頻濺射離子鍍等幾種形式。

(4)按膜材原子被電離時的空間位置，又可分成普通的離子鍍和離子束鍍。前者一般指膜材蒸發(fā)源與基片之間的空間氣體放電并讓膜材原子被電離。后者一般是指從離子源發(fā)出來的離子束在基片上沉積，它的離子是在專用的離子源內(nèi)電離產(chǎn)生，不是在蒸發(fā)源與其片之間的空間中被電離的。

(5)從有無反應(yīng)氣體參與鍍膜過程以及其沉積產(chǎn)物分類，又可分為真空離子鍍和反應(yīng)離子鍍。真空離子鍍是指在鍍膜過程中只有惰性氣體而沒有反應(yīng)氣體參與，沉積產(chǎn)物就是膜材本身。而反應(yīng)離子鍍則指在鍍膜過程中，除惰性氣體外還有反應(yīng)氣體參與(如 N2、碳?xì)漕悮狻2等)。反應(yīng)氣體在放電空間也會被電離激發(fā)，并在基片表面與膜材的原子、離子進(jìn)行反應(yīng)，以反應(yīng)產(chǎn)物形式沉積在基片上成膜 (如 TiN 等)。反應(yīng)離子鍍已獲得廣泛應(yīng)用。