陰極電弧源離子鍍膜的工藝過程與其他鍍膜技術基本相同，安裝工件、抽真空等有些操作不再重復。

1.轟擊清洗工件

    鍍膜前對向鍍膜室通入氬氣，真空度為2x10-2Pa。開啟脈沖偏壓電源，占空比為20%，工件偏壓為800~1000V。開啟弧電源后產(chǎn)生冷場致弧光放電，從弧源發(fā)射大量的電子流和鈦離子流，形成高密度的等離子體。其中的鈦離子在工件所加負高偏壓作用下加速射向工件，將工件表面吸附的殘余氣體和污染物轟擊濺射下來，使工件表面被清洗凈化；同時，鍍膜室內(nèi)的氯氣被電子電離，氬離子也加速轟擊工件表面。因此，轟擊清洗效果好，只轟擊清洗 1min 左右就可以將工件清洗干凈，此過程叫“主弧轟擊”。由于鈦離子質(zhì)量大，如果用小弧源轟擊清洗時間太長，那么工件溫度容易過熱，刀具刃口會軟件。一般生產(chǎn)中是從上到下逐個開啟小弧源的，每個小弧源轟擊清洗時間為 1min 左右。

2.鍍鈦底層

    為了提高膜-基結(jié)合力，一般在鍍氮化鈦之前先鍍一層純鈦底層。真空度調(diào)至5x10-2~3x10-1Pa，工件偏壓調(diào)至400~500V，脈沖偏壓電源的占空比調(diào)到40%~50%。仍然逐個引燃小弧源產(chǎn)生冷場致弧光放電。由于工件負偏壓降低，鈦離子的能量降低了，到達工件以后的濺射作用小于沉積作用，會在工件上沉積形成鈦過渡層，以提高氮化鈦硬質(zhì)膜層和基體的結(jié)合力。此過程也是對工件進行加熱的過程純鈦靶材放電時，等離子體的光為蔚藍色。

3.鍍氨化缽硬質(zhì)膜層

    真空度調(diào)整到3x10-1~5Pa，工件偏壓調(diào)至100~200V，脈沖偏壓電源的占空比調(diào)到 70%~80%。通人氮氣后，在弧光放電等離子體中和鈦進行化合反應，沉積獲得氮化鈦硬質(zhì)膜層。此時，真空室內(nèi)的等離子體的光為櫻紅色。如果通入 C2H2、02，等，可獲得 TiCN、Ti02，等膜層。

——本文由真空鍍膜機廠家廣東振華發(fā)布